eskisehirbayanlar.com eskisehirescortlar.net bursaescorttr.com bursadaescortlar.org antalyaescort.pw

Продукция
  • Slide image one
  • Slide image two
  • Slide image three
Продукция


Генератор радиопомех Печать

МНОГОПОЛОСНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ ШУМА

Подробнее...
 
Навигационная антенна Печать

АКТИВНАЯ АНТЕННА ВЫСОКОТОЧНОГО ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ДЛЯ ТРЕХДИАПАЗОННОГО ПРИЕМНИКА ГЛОНАСС/GPS/GALILEO В ТОМ ЧИСЛЕ ДЛЯ ГЕОДЕЗИЧЕСКИХ ПРИМЕНЕНИЙ

Подробнее...
 
Фильтры Печать

ФИЛЬТРЫ ДЛЯ РАДИОЧАСТОТНЫХ ДИАПАЗОНОВ В ТОМ ЧИСЛЕ МИКРОПОЛОСКОВЫЕ ФИЛЬТРЫ НА ЧАСТОТНЫЕ ДИАПАЗОНЫ L1, L2, L2 + L3 ДЛЯ ПРИЕМНИКА ГЛОБАЛЬНЫХ НАВИГАЦИОННЫХ СПУТНИКОВЫХ СИСТЕМ ГЛОНАСС/GPS

Подробнее...
 
Тауметр

«TAUMETER 2М»
COMPUTER-AIDED SILICON MINORITY CARRIER LIFETIME METER
BASED ON NON-CONTACT MICROWAVE METHOD

Designer: SPF «Electron», 660036, Russia, Krasnoyarsk, Akademgorodok 50,  tel. (391)2905494, e-mail: shepov@ksc.krasn.ru

MAIN TECHNICAL SPECIFICATIONS:

1.    Measurement range of minority carrier lifetime, µs,   from 0.1 to 10000
2.    Range of silicon resistivity upon measuring minority carrier lifetime, Ohm x cm   from 0.1 to 10000
3.    Repeatability of the results, %,   98
4.    Resolution, %, equal or higher than   0.1
5.    Laser wavelength, nm   1060
6.    Microwave source frequency, GHz   4.8-5.3
7.    Chemical surface passivation   available
8.    Measurement of mono- poly- and multi-crystalline material
9.    Product protected by patents Ru 2430383, Ru 2451298

АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В КРЕМНИИ БЕСКОНТАКТНЫМ СВЧ МЕТОДОМ «ТАУМЕТР 2М»

Характеристика

Прибор «ТАУМЕТР 2М» является электронным контрольно-измерительным прибором, предназначенным для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в пластинах и слитках монокристаллического и мультикристаллического кремния бесконтактным сверхвысокочастотным методом. Генерация избыточных носителей заряда осуществляется воздействием на измеряемый образец полупроводника импульсным лазерным излучением. Измерения эффективного времени жизни неосновных носителей заряда выполняются по спаду фотопроводимости в автоматическом режимe с управлением от персо- нального компьютера. Расчет объемного времени жизни неосновных носителей заряда осуществляется по международным стандартам SEMI MF 1535 и SEMI MF 28.

Технические характеристики

- Диапазон измерения времени жизни неосновных носителей заряда

от 0.1 до 10000 мкс,

- Диапазон удельных электросопротивлений кремния при измерении

времени жизни неосновных носителей заряда от 0.1 до 10000 Ом×см,

- Длина волны излучения лазерного диода 1060 нм,

- Диапазон регулировки мощности лазерного излечения 5-500 мВт,

- Частота СВЧ генератора 4.8-5.3 ГГц,

- Диапазон регулировки СВЧ мощности 0.1-100 мВт,                                                    enligneviagra.net

- Диаметр сканируемой поверхности 200 мм,

- Шаг сканирования не менее 1мм,

- Пределы допускаемой основной относительной погрешности

измерения не более ±30 %,

- Повторяемость не хуже чем 2 %,

- Разрешение не хуже чем 0,1 %,

- Габаритные размеры прибора не более 560 х 320 х 410 мм,

- Масса прибора не более 25 кг,

Потребляемая мощность, не более 70 ВА

 

Технико-экономические преимущества their explanation

- Автоматизированный процесс измерений.

- Возможность измерения распределения времени жизни неосновных носителей заряда по

поверхности пластин диаметром до 200 мм.

 

Области применения

- Промышленное производство пластин и слитков монокристаллического и

мультикристаллического кремния.

- Научные исследования

- Образование

 

Уровень и место практической реализации

Начато мелкосерийное производство.

 

Патентная защита

Патент РФ № 2430383

Патент РФ № 2451298

Коммерческие предложения

Изготовление по заказу.

 

Ориентировочная стоимость

Договорная.

 
Рометр

«ROMETER»
COMPUTER-AIDED SILICON RESISTIVITY METER
BASED ON FOUR-POINT PROBE METHOD

Designer:  SPF «Electron», 660036, Russia, Krasnoyarsk, Akademgorodok 50,   tel. (391)2905494, e-mail: shepov@ksc.krasn.ru

MAIN TECHNICAL SPECIFICATIONS:

1.    Measurements according to Standards:   SEMI MF43, SEMI MF81, SEMI MF84
2.    Measurement range of resistivity, Ohm×cm:       from 0,001 to 10 000
3.    Limits of allowable relative measurement error, %:      not more than:
for resistivity within the range 0.001 – 0.01 Ohm×cm :       ±3
for resistivity within the range 0.011 – 10000 Ohm×cm:      ±2
4.     Measurements of silicon ingot and wafer diameter, mm, up to      300
5.     Automatic positioning accuracy, mm       0.5
The size of positioning stage can be changed on request

The instrument was certified in 2017. According to the certificate the silicon resistivity meter  "ROMETER" was registered in the State catalog of measuring devices as №35567-17.

АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ УДЕЛЬНОГО ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ ЧЕТЫРЕХЗОНДОВЫМ МЕТОДОМ «РОМЕТР»

Подробнее
 
Еще статьи...
<< Первая < Предыдущая 1 2 Следующая > Последняя >>

Страница 1 из 2
  • costo viagra in italia achat cialis générique en france promo viagra quanto costa cialis prix levitra 20mg cialis 20 prezzo viagra indien viagra original günstig generics online regalo viagra soft viagra generique livraison rapide europe cialis rotterdam acheter cialis paris viagra vzzera generique viagra le moins cher medicamento cialis 20 mg
  • kamagra oral jelly preisvergleich viagra non generique viagra sostituto cialis bijwerkingen cialis sans prescription viagra donde comprar kamagra funziona viagra en pharmacie à paris generico lovegra per donne mg cialis generika bestellen prezzo cialis originale acheter viagra montreal forum viagra sans ordonnance indische cialis generika expert clinique cialis