eskisehirbayanlar.com eskisehirescortlar.net bursaescorttr.com bursadaescortlar.org antalyaescort.pw

Тауметр
  • Slide image one
  • Slide image two
  • Slide image three
Тауметр

«TAUMETER 2М»
COMPUTER-AIDED SILICON MINORITY CARRIER LIFETIME METER
BASED ON NON-CONTACT MICROWAVE METHOD

Designer: SPF «Electron», 660036, Russia, Krasnoyarsk, Akademgorodok 50,  tel. (391)2905494, e-mail: shepov@ksc.krasn.ru

MAIN TECHNICAL SPECIFICATIONS:

1.    Measurement range of minority carrier lifetime, µs,   from 0.1 to 10000
2.    Range of silicon resistivity upon measuring minority carrier lifetime, Ohm x cm   from 0.1 to 10000
3.    Repeatability of the results, %,   98
4.    Resolution, %, equal or higher than   0.1
5.    Laser wavelength, nm   1060
6.    Microwave source frequency, GHz   4.8-5.3
7.    Chemical surface passivation   available
8.    Measurement of mono- poly- and multi-crystalline material
9.    Product protected by patents Ru 2430383, Ru 2451298

АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В КРЕМНИИ БЕСКОНТАКТНЫМ СВЧ МЕТОДОМ «ТАУМЕТР 2М»

Характеристика

Прибор «ТАУМЕТР 2М» является электронным контрольно-измерительным прибором, предназначенным для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в пластинах и слитках монокристаллического и мультикристаллического кремния бесконтактным сверхвысокочастотным методом. Генерация избыточных носителей заряда осуществляется воздействием на измеряемый образец полупроводника импульсным лазерным излучением. Измерения эффективного времени жизни неосновных носителей заряда выполняются по спаду фотопроводимости в автоматическом режимe с управлением от персо- нального компьютера. Расчет объемного времени жизни неосновных носителей заряда осуществляется по международным стандартам SEMI MF 1535 и SEMI MF 28.

Технические характеристики

- Диапазон измерения времени жизни неосновных носителей заряда

от 0.1 до 10000 мкс,

- Диапазон удельных электросопротивлений кремния при измерении

времени жизни неосновных носителей заряда от 0.1 до 10000 Ом×см,

- Длина волны излучения лазерного диода 1060 нм,

- Диапазон регулировки мощности лазерного излечения 5-500 мВт,

- Частота СВЧ генератора 4.8-5.3 ГГц,

- Диапазон регулировки СВЧ мощности 0.1-100 мВт,                                                    enligneviagra.net

- Диаметр сканируемой поверхности 200 мм,

- Шаг сканирования не менее 1мм,

- Пределы допускаемой основной относительной погрешности

измерения не более ±30 %,

- Повторяемость не хуже чем 2 %,

- Разрешение не хуже чем 0,1 %,

- Габаритные размеры прибора не более 560 х 320 х 410 мм,

- Масса прибора не более 25 кг,

Потребляемая мощность, не более 70 ВА

 

Технико-экономические преимущества their explanation

- Автоматизированный процесс измерений.

- Возможность измерения распределения времени жизни неосновных носителей заряда по

поверхности пластин диаметром до 200 мм.

 

Области применения

- Промышленное производство пластин и слитков монокристаллического и

мультикристаллического кремния.

- Научные исследования

- Образование

 

Уровень и место практической реализации

Начато мелкосерийное производство.

 

Патентная защита

Патент РФ № 2430383

Патент РФ № 2451298

Коммерческие предложения

Изготовление по заказу.

 

Ориентировочная стоимость

Договорная.

 
  • cialis angleterre venta de cialis generico levitra apotheke precio viagra receta viagra natural comparatif viagra levitra tadalafil farmacias similares cialis online svizzera achat viagra en suisse viagra ilman reseptiä costo cialis in farmacia compare viagra generico en españa tadalafil argentina cialis generica compra em portugal viagra nachnahme
  • cialis soft cialis viagra achat cialis alternativo kamagra kaufen berlin achat de viagra en ligne cialis vendita in farmacia vendita cialis online achat viagra en ligne pas cher cialis online portugal venta levitra viagra ou cialis prix sild c a nafil citrate vente viagra zonder recept equivalent viagra acheter apcalis jelly